[发明专利]光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板有效
申请号: | 201811067343.4 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109244174B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 杨昕;杨涛;黄睿 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/18;H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板。光电传感器包括第一电极;第一类型半导体层,第一类型半导体层由P型材料和N型材料的一者形成,第一类型半导体层设置在第一电极上;本征半导体层,本征半导体层设置在第一类型半导体层远离第一电极的一侧;第二类型半导体层,第二类型半导体层由P型材料和N型材料的另一者形成,第二类型半导体层设置在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧,第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层,使得第二类型半导体层形成减反射膜;第二电极,第二电极设置在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧,第二电极由透明导电材料形成。该光电传感器有较大的吸光量。 | ||
搜索关键词: | 光电 传感器 制备 方法 基板 oled 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种光电传感器,其特征在于,包括:第一电极;第一类型半导体层,所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成,所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上;本征半导体层,所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧;第二类型半导体层,所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成,所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧,所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层,使得所述第二类型半导体层形成减反射膜;以及第二电极,所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧,所述第二电极由透明导电材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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