[发明专利]介电质层中的空洞检测方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201811068504.1 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109285793B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 贾洋;周伦潮;冯巍;奉伟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介电质层中的空洞检测方法及半导体器件的制造方法，所述介电质层中的空洞检测方法包括：首先，提供一具有介电质层的衬底，所述介电质层中形成有多个导电接触插栓；然后，去除部分厚度的所述介电质层，以暴露出所述导电接触插栓部分高度的侧壁；最后，扫描具有暴露出的所述导电接触插栓的侧壁的所述衬底的表面，以检测相邻的所述导电接触插栓的侧壁之间是否存在桥接缺陷，所述桥接缺陷的位置为所述介电质层沉积时产生空洞的位置。本发明的技术方案能快速准确地检测出所述介电质层中的桥接缺陷的位置和数量，以获得所述介电质层中的空洞的位置和数量，进而加快了半导体器件的研发进度及提升了半导体器件的良率，最终节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 介电质层 中的 空洞 检测 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种介电质层中的空洞检测方法，其特征在于，包括：(A)提供一具有介电质层的衬底，所述介电质层中形成有多个导电接触插栓；(B)去除部分厚度的所述介电质层，以暴露出所述导电接触插栓部分高度的侧壁；以及，(C)扫描具有暴露出的所述导电接触插栓的侧壁的所述衬底的表面，以检测相邻的所述导电接触插栓的侧壁之间是否存在桥接缺陷，所述桥接缺陷的位置为所述介电质层沉积时产生空洞的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
