[发明专利]溅射装置

摘要

本发明提供一种能够降低被处理基板由于以等离子体为起因的紫外线或带电粒子而受到的损害的溅射装置。其特征在于，在靶与被处理基板之间设有遮蔽构件，该遮蔽构件将被处理基板遮蔽，以免被处理基板遭受从靶向被处理基板的传送方向上游侧飞散的溅射粒子，当将穿过中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与靶表面正交的方向延伸的直线设为中央基准线，将穿过周边磁铁的所述传送方向上游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第一边界线，将穿过周边磁铁的所述传送方向下游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第二边界线时，遮蔽构件的飞散区域侧的端部位于由第一边界线与第二边界线夹持的区域。

主权项

1.一种溅射装置，所述溅射装置具备：真空腔室，所述真空腔室被供给非活性气体；靶，所述靶在该真空腔室内与被处理基板相向配置；电压施加机构，所述电压施加机构向被处理基板与靶之间施加电压而使其放电；及磁铁，所述磁铁在所述靶的表面形成磁场，所述被处理基板与所述靶相对移动，在从所述靶飞散的溅射粒子的飞散区域中通过，由此进行成膜，所述溅射装置的特征在于，当将从所述靶观察所述被处理基板时的所述被处理基板的移动方向设为传送方向时，所述磁铁具备沿着与所述传送方向正交的方向延伸的中心磁铁和包围该中心磁铁的周边磁铁，在所述靶与所述被处理基板之间设有遮蔽构件，该遮蔽构件将被处理基板遮蔽，以免所述被处理基板遭受从所述靶向所述被处理基板的传送方向上游侧飞散的溅射粒子，当将穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的直线设为中央基准线，并将穿过所述周边磁铁的所述传送方向上游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第一边界线，将穿过所述周边磁铁的所述传送方向下游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第二边界线时，所述遮蔽构件的所述飞散区域侧的端部位于由所述第一边界线与第二边界线夹持的区域。