[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统有效
| 申请号： | 201811073495.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109712661B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金荣勋;金始弘 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/32 | 分类号： | G11C16/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器装置包括存储器磁芯，其执行数据的读取和写入；数据传递和训练块，其连接在第一焊盘与存储器磁芯之间；以及至少一个数据传递、时钟生成和训练块，其连接在至少一个第二焊盘与存储器磁芯之间。在第一训练操作中，所述数据传递和训练块通过所述第一焊盘输出通过所述第一焊盘接收的第一训练数据作为第二训练数据。在第二训练操作中，所述数据传递和训练块中的至少一个通过所述第一焊盘中的至少一个输出通过所述至少一个第二焊盘接收的第三训练数据作为第四训练数据。第二训练数据和第四训练数据与通过至少一个第二焊盘输出的读数据选通信号同步输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 包括 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：存储器磁芯，所述存储器磁芯被配置为执行数据的读取和写入；数据传递和训练块，所述数据传递和训练块连接在第一焊盘与所述存储器磁芯之间；以及至少一个数据传递、时钟生成和训练块，所述至少一个数据传递、时钟生成和训练块连接在至少一个第二焊盘与所述存储器磁芯之间，其中，在第一训练操作中，所述数据传递和训练块通过所述第一焊盘输出通过所述第一焊盘接收的第一训练数据作为第二训练数据，其中，在第二训练操作中，所述数据传递和训练块中的至少一个通过所述第一焊盘中的至少一个输出通过所述至少一个第二焊盘接收的第三训练数据作为第四训练数据，以及其中所述第二训练数据和所述第四训练数据与通过所述至少一个第二焊盘输出的读数据选通信号同步输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811073495.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
