[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201811073526.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509694B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 松山昇一郎;佐藤大树;佐佐木康晴;西岛贵史;朴镇永 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：基座，其能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在所述基座上，能够在中央部载置所述被处理基片，在外周部以包围所述被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在所述静电卡盘的外周部与所述基座或所述聚焦环之间，具有使所述静电卡盘的中央部的静电电容与所述静电卡盘的外周部的静电电容之差减少的静电电容。
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