[发明专利]半导体衬底浅沟槽制作方法及半导体衬底浅沟槽结构有效
| 申请号： | 201811074209.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN110911344B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件制造领域，公开了一种半导体衬底浅沟槽制作方法及结构，方法包括：1)提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层具有第一刻蚀窗口，所述第一刻蚀窗口定义出浅沟槽的形状和位置；2)进行循环刻蚀的主刻蚀步骤，包括通过所述第一刻蚀窗口对所述半导体衬底进行深化刻蚀，以形成在所述半导体衬底内的沟槽结构以及在所述沟槽结构底部的底部刻蚀副产物；3)进行循环刻蚀的底部穿透步骤，包括去除所述底部刻蚀副产物；4)进行循环刻蚀的槽壁保护步骤，包括在所述沟槽结构的侧壁上形成侧壁氧化层；5)循环执行步骤2)至步骤4)，直至所述沟槽结构的深度达到预设深度，以在所述半导体衬底内形成所述浅沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 沟槽 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
