[发明专利]一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。

主权项

1.一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底(1)、单晶金刚石外延薄膜(2)、体掺杂单晶外延薄膜(3)、刻蚀区域(4)、沟道区域(5)、源电极(6)、漏电极(7)和栅电极(8)；金刚石衬底(1)上设有一层单晶金刚石外延薄膜(2)；单晶金刚石外延薄膜(2)上设置体掺杂单晶外延薄膜(3)和刻蚀区域(4)；体掺杂单晶外延薄膜(3)上设置有沟道区域(5)和刻蚀区域(4)；刻蚀区域(4)为高肖特基势垒终端，沟道区域(5)为低肖特基势垒终端；沟道区域(5)包括体掺杂单晶外延薄膜(3)，载流子能够在沟道区域(5)内迁移；体掺杂单晶外延薄膜(3)是化学气相外延掺杂或离子注入掺杂的单晶金刚石材料；源电极(6)和漏电极(7)设置于沟道区域(5)的两端；栅电极(8)设置在源电极(6)和漏电极(7)之间的刻蚀区域(4)和沟道区域(5)上，且栅电极(8)同时设置在单晶金刚石外延薄膜(2)的刻蚀区域(4)上。