[发明专利]成膜方法以及成膜装置在审
申请号: | 201811074896.2 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109504944A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 尾崎一人 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明使用各种靶体材料并通过等离子体溅射对基板进行高速且优质的成膜。在真空腔室(10)内将感应耦合天线(52)、(53)与具有靶体的溅射阴极(51)接近地配置,该感应耦合天线(52)、(53)具有由电介质层(522)、(532)覆盖匝数小于一圈的线状导体(521)、(531)的结构,向内部气压被调节成规定的成膜压力的真空腔室内供给溅射气体,并且分别向感应耦合天线施加高频电压、向溅射阴极施加负电压,使得在真空腔室内产生感应耦合等离子体,使由靶体被感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在基板(S)的表面上进行成膜。靶体中的面向基板的表面的静磁场在沿着该表面的方向上的最大磁通密度为15mT以下。 | ||
搜索关键词: | 靶体 感应耦合天线 成膜 感应耦合等离子体 溅射阴极 真空腔 施加 室内 等离子体溅射 成膜粒子 成膜压力 成膜装置 电介质层 高频电压 溅射气体 面向基板 内部气压 线状导体 真空腔室 对基板 负电压 静磁场 磁通 附着 基板 溅射 匝数 覆盖 配置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜方法,通过等离子体溅射对基板进行成膜,其中,在真空腔室内将感应耦合天线与具有靶体的溅射阴极接近地配置,所述感应耦合天线具有由电介质层覆盖匝数小于一圈的线状导体的结构,在所述真空腔室内使所述基板与所述靶体相向而配置,向内部气压被调节成规定的成膜压力的所述真空腔室内供给溅射气体,并且向所述感应耦合天线施加高频电压并向所述溅射阴极施加负电压,以在所述真空腔室内产生感应耦合等离子体,并且使由所述靶体被所述感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在所述基板的表面上进行成膜,在所述靶体中的与所述基板相向的表面的静磁场在沿着所述表面的方向上的最大磁通密度为15mT以下。
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