[发明专利]一种多晶硅的制备方法在审
| 申请号： | 201811075034.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108840340A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 冉祎;余涛;王琴;何鹏;李寿琴 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强;罗满 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅的制备方法，包括：将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气混合，得到混合料；将混合料送入还原炉，第三混合料进行气相化学沉淀反应，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒；所述制备方法使生成的多晶硅生长于硅棒或硅芯上，提高收率，缩短硅棒的整个生长周期；同时，降低电耗，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 混合料 硅棒 制备 化学沉淀反应 三氯氢硅气体 多晶硅生长 二氯二氢硅 电耗 硅芯表面 生长周期 氢气 还原炉 硅芯 收率 送入 节约 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括：将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气混合，得到混合料；将混合料送入还原炉，第三混合料进行气相化学沉淀反应，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒。
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