[发明专利]集成电路结构在审

专利信息
申请号: 201811075644.1 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN110164864A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 林祐宽;杨昌达;王屏薇;赵高毅;王美匀 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本公开实施例提供一种集成电路结构,包括:第一栅极,覆盖主动区域中的第一通道区域;第一晶体管,包括第一通道区域、第一源极区域、第一漏极区域、及第一栅极;导电接点,直接连接第一晶体管的第一漏极区域;第二栅极,与第一栅极相隔,第二栅极覆盖第二通道区域;第二晶体管,包括第二通道区域、第二源极区域、第二漏极区域、及第二栅极;导电导孔,直接连接第二栅极;扩大导电导孔,覆盖导电接点及导电导孔,使彼此电性连接,扩大导电导孔从导电接点至导电导孔于一平面延伸;及第一电性绝缘层,包围扩大导电导孔。
搜索关键词: 导电 导孔 通道区域 导电接点 漏极区域 晶体管 集成电路结构 源极区域 覆盖 电性绝缘层 彼此电性 平面延伸 主动区域 相隔 包围
【主权项】:
1.一种集成电路结构,包括:一基板;一半导体主动区域,覆盖于该基板上;一第一栅极,覆盖该主动区域中的一第一通道区域;一第一晶体管,包括该第一通道区域、邻近该主动区域中该第一通道区域的一第一侧的一第一源极区域、邻近该第一通道区域的一第二侧的一第一漏极区域、及该第一栅极;一导电接点,直接连接该第一晶体管的该第一漏极区域;一第二栅极,与该第一栅极相隔,该第二栅极覆盖一第二通道区域;一第二晶体管,包括该第二通道区域、邻近该主动区域中该第二通道区域的一第一侧的一第二源极区域、邻近该第二通道区域的一第二侧的一第二漏极区域、及该第二栅极;一导电导孔,直接连接该第二栅极;一扩大导电导孔,覆盖该导电接点及该导电导孔,使彼此电性连接,该扩大导电导孔从该导电接点至该导电导孔于一平面延伸;及一第一电性绝缘层,包围该扩大导电导孔。
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