[发明专利]集成电路结构在审
申请号: | 201811075644.1 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN110164864A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 林祐宽;杨昌达;王屏薇;赵高毅;王美匀 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开实施例提供一种集成电路结构,包括:第一栅极,覆盖主动区域中的第一通道区域;第一晶体管,包括第一通道区域、第一源极区域、第一漏极区域、及第一栅极;导电接点,直接连接第一晶体管的第一漏极区域;第二栅极,与第一栅极相隔,第二栅极覆盖第二通道区域;第二晶体管,包括第二通道区域、第二源极区域、第二漏极区域、及第二栅极;导电导孔,直接连接第二栅极;扩大导电导孔,覆盖导电接点及导电导孔,使彼此电性连接,扩大导电导孔从导电接点至导电导孔于一平面延伸;及第一电性绝缘层,包围扩大导电导孔。 | ||
搜索关键词: | 导电 导孔 通道区域 导电接点 漏极区域 晶体管 集成电路结构 源极区域 覆盖 电性绝缘层 彼此电性 平面延伸 主动区域 相隔 包围 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路结构,包括:一基板;一半导体主动区域,覆盖于该基板上;一第一栅极,覆盖该主动区域中的一第一通道区域;一第一晶体管,包括该第一通道区域、邻近该主动区域中该第一通道区域的一第一侧的一第一源极区域、邻近该第一通道区域的一第二侧的一第一漏极区域、及该第一栅极;一导电接点,直接连接该第一晶体管的该第一漏极区域;一第二栅极,与该第一栅极相隔,该第二栅极覆盖一第二通道区域;一第二晶体管,包括该第二通道区域、邻近该主动区域中该第二通道区域的一第一侧的一第二源极区域、邻近该第二通道区域的一第二侧的一第二漏极区域、及该第二栅极;一导电导孔,直接连接该第二栅极;一扩大导电导孔,覆盖该导电接点及该导电导孔,使彼此电性连接,该扩大导电导孔从该导电接点至该导电导孔于一平面延伸;及一第一电性绝缘层,包围该扩大导电导孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的