[发明专利]一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201811075795.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109545771A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈寰贝;陈骏;夏庆水 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法，其基板结构上下表层为高精度、高密度金属化焊盘；基板侧壁为满金属化；基板内部存在多层金属化布线。上下表层金属化焊盘与硅基芯片球栅焊接；侧壁满金属化实现信号屏蔽；基板内部多层金属化布线满足复杂电路信号传输互联。利用多层共烧工艺，选用氮化铝陶瓷作为陶瓷基体材料，钨作为金属化材料，采用生瓷带束缚微形变加工工艺，并使用化学镀镍、化学镀金工艺对表层钨金属线路层进行镀覆。优点：氮化铝基板与硅基芯片热膨胀系数高度匹配，保证了硅基芯片的球栅焊接封装可靠性；基板的热导率提高至170 W/mK，能够满足高集成模块封装高功率密度封装散热需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝基板 硅基芯片 高集成 多层 封装 多层金属 基板内部 金属化 布线 焊盘 球栅 化学镀金工艺 陶瓷基体材料 氮化铝陶瓷 高密度金属 金属化材料 热膨胀系数 表层金属 复杂电路 高度匹配 焊接封装 化学镀镍 基板侧壁 基板结构 模块封装 散热需求 信号传输 信号屏蔽 高功率 热导率 生瓷带 微形变 钨金属 线路层 侧壁 镀覆 共烧 基板 焊接 制造 互联 束缚 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板，其特征是所述基板包括上表层和下表层，上、下表层为高密度、高精度金属化焊盘，每平方毫米内焊盘密度达到2个，形位偏差小于等于0.2%；基板内部设有多层金属化布线，上、下表层金属化焊盘与硅基芯片通过球栅焊接封装连接；基板侧壁为满金属化，实现基板内部射频信号屏蔽；通过基板内部多层金属化布线满足电路信号传输互连；基板基体材料为氮化铝陶瓷，热膨胀系数为4.5×10‑6/K，与硅基芯片热膨胀系数一致，热导率≥170 W/m·k。
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