[发明专利]一种利用银纳米柱阵列结构增强近红外量子剪裁的方法

摘要

本发明涉及稀土发光技术领域，具体涉及一种利用银纳米柱阵列结构增强稀土掺杂氟化物纳米颗粒近红外量子剪裁的方法，首先，通过无电沉积法在AAO模板上生长大面积、高度有序、间隙大小可控的银纳米柱阵列结构，再通过旋涂法将稀土掺杂氟化物纳米颗粒旋涂在银纳米柱阵列上，利用相邻两个银纳米柱之间相互耦合产生的增强的局域电场，实现了对稀土掺杂氟化物纳米颗粒近红外量子剪裁发光的有效增强。本发明的制备工艺简单、操作方便、成本较低，能够提供一种高效的太阳能电池光转换片，提高太阳能电池的光电转换效率，适宜推广。

主权项

1.一种利用银纳米柱阵列结构增强近红外量子剪裁的方法，其特征在于：通过无电沉积法在阳极氧化铝模板AAO上生长大面积、高度有序、间隙大小可控的银纳米柱阵列结构，再通过旋涂法将稀土掺杂氟化物纳米颗粒旋涂在银纳米柱阵列上，利用相邻两个银纳米柱之间相互耦合产生的增强的局域电场，实现了对稀土掺杂氟化物纳米颗粒近红外量子剪裁发光的有效增强。