[发明专利]太阳能电池刻划方法及刻划设备有效
申请号: | 201811076405.8 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109216504B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 丁阳 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及一种太阳能电池刻划方法及刻划设备。所述太阳能电池刻划方法包括根据所述第一次刻划的设定参数在太阳能电池基板的表面形成第一刻线;获取所述第一刻线的实际参数;根据所述第一次刻划的设定参数和所述第一刻线的实际参数,得出第一次刻划的偏差值,并根据所述第一次刻划的偏差值对之后进行的第n次刻划的设定参数进行修正,以使得所述第一刻线和第n刻线保持平行。所述太阳能电池刻划方法可以有效的减小死区宽度,增加太阳能电池的发电面积。 | ||
搜索关键词: | 刻划 太阳能电池 刻线 刻划设备 实际参数 太阳能电池基板 表面形成 减小 死区 平行 修正 发电 申请 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池刻划方法,其特征在于,包括:根据第一次刻划的设定参数对太阳能电池基板进行第一次刻划,形成第一刻线;获取所述第一刻线的实际参数;根据所述第一次刻划的设定参数和所述第一刻线的实际参数,按照所述第一刻线长度方向每间隔第一距离获取一个第一次刻划的偏差值;根据对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值,对之后进行的第n次刻划的设定参数进行修正;采用修正后的设定参数进行第n次刻划,以使得第n刻线和所述第一刻线保持平行,其中n≥2,n为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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