[发明专利]单晶热氧化电池制造工艺在审
| 申请号： | 201811077771.5 | 申请日： | 2018-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN109378359A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王斌 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳电池制造工艺，公开一种单晶热氧化电池制造工艺，该工艺采用以下步骤：高温扩散炉升温至高温650‑800℃，通过真空泵将该扩散炉的炉管内的压力抽至低压50‑250mbar状态；向该高温扩散炉内通入一设定流量的O2，在该高温和该低压条件下形成均匀的氧化硅，其中，高温扩散的方式使氧化层致密性佳，抗PID效果好，利用低压扩散的方式使氧化层具有较高的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电池制造工艺 高温扩散炉 热氧化 氧化层 单晶 太阳电池制造 低压条件 高温扩散 扩散炉 氧化硅 真空泵 致密性 炉管 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种单晶热氧化电池制造工艺，其特征在于，该工艺采用以下步骤：步骤（1）：高温扩散炉升温至高温650‑800℃，通过真空泵将该扩散炉的炉管内的压力抽至低压50‑250mbar状态；步骤（2）：向该高温扩散炉内通入一设定流量的O2，在该高温和该低压条件下形成均匀的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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