[发明专利]单晶硅片碱抛清洗方法在审
| 申请号： | 201811077772.X | 申请日： | 2018-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN109326683A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 衣玉林 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池槽式清洗领域，具体提供一种单晶硅片碱抛清洗方法，用于清洗一碱抛设备内碱抛后的硅片，该方法包括：首先在该碱抛设备内加入盐酸和双氧水的混合溶液，除金属离子并生成二氧化硅；其次加入氢氟酸溶液除去二氧化硅及该硅片表面的残留物质。本发明单晶硅片碱抛后清洗方法，硅片在碱抛设备内用盐酸加双氧水作为后清洗槽、水槽和氢氟酸的酸槽，不破坏绒面，节约碱液，清洗效果好，有效提升了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅片 清洗 双氧水 二氧化硅 硅片 盐酸 水槽 除金属离子 氢氟酸溶液 太阳能电池 槽式清洗 硅片表面 后清洗槽 混合溶液 清洗效果 氢氟酸 碱液 良率 绒面 酸槽 残留 节约 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅片碱抛清洗方法，用于清洗一碱抛设备内碱抛后的硅片，其特征在于，该方法包括：步骤（1）：在该碱抛设备内加入盐酸和双氧水的混合溶液，除金属离子并生成二氧化硅；步骤（2）：加入氢氟酸溶液除去二氧化硅及该硅片表面的残留物质。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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