[发明专利]一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括正面制绒，正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层，正面去膜；正面二次制绒，扩散，刻蚀，背面沉积钝化膜，正面二次沉积减反膜，背面开孔，电极印刷，烧结的步骤。通过本发明的制备方法制备得到了选择性钝化接触晶体硅太阳能电池。本发明的制备方法有效确保了钝化隧穿层选择性的掺杂在正电极区域，有效发挥了钝化作用；同时也不遮挡非电极区域，减少了传统掺杂硅层对于太阳能的吸收，提升了太阳能电池的效率。

主权项

1.一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：(1)在硅片正面形成绒面；(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层；(3)在硅片正面沉积减反膜层；(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；(5)在硅片正面重新形成绒面；(6)在硅片表面进行磷扩散；(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；(8)在硅片背面沉积钝化膜；(9)在硅片正面二次沉积减反膜；(10)对硅片背面进行激光开孔；(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。