[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201811082020.2 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109860288A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 吴肇欣;张立成;戴承家;杨舜丞 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司;吴肇欣
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体装置包含基板、通道层、主动层以及栅极电极。通道层具有位于该基板上的一鳍部。主动层至少位于通道层的鳍部上。主动层用以沿着通道层与主动层之间的介面,使二维电子气形成于通道层中。栅极电极接触通道层的鳍部的侧壁。
搜索关键词: 通道层 主动层 鳍部 半导体装置 基板 栅极电极接触 二维电子气 栅极电极 侧壁 介面
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:一基板;一通道层,具有位于该基板上的一鳍部;一主动层至少位于该通道层的该鳍部上,该主动层用以沿着该通道层与该主动层之间的介面,使一二维电子气形成于该通道层中;以及一栅极电极,接触该通道层的该鳍部的一侧壁。
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