[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201811084408.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109148366A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈彩琴 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出了一种阵列基板及其制作方法，所述制作方法为通过对所述有源层进行一次离子掺杂，利用特定工艺使经过掺杂的所述有源层形成第一掺杂区和第二掺杂区。本申请通过在现有工艺以及未增加光罩的基础上，在AMOLED中增加PMOS的LDD结构，有效的降低了面板阵列制造过程中的周期，节省了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 制作 掺杂区 源层 面板阵列 一次离子 制造过程 掺杂的 光罩 申请 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：S101、提供一基板；S102、在所述基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层以及第三绝缘层，其中，所述第二金属层的面积大于所述第一金属层的面积；S103、对部分所述有源层进行离子掺杂，使部分所述有源层形成第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区为所述第一掺杂区经预定工艺而形成；S104、在所述第三绝缘层上形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
