[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201811085673.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110600355B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翁志强;蔡陈德;丁嘉仁;徐瑞美;李祐升;刘志宏 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B24B37/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，包括一上电极与一下电极。上电极包含凸伸设置于上电极的一面且连接等离子体源的多个柱状电极，于上电极的中心区域具有一个等离子体空乏区，于等离子体空乏区内无柱状电极，由等离子体空乏区最外围至上电极周缘的范围内设有多个柱状电极，由多个柱状电极产生一环形等离子体分布区，等离子体空乏区最外围至上电极周缘的范围内形成一等离子体处理区；下电极具有包覆有介电材质的内藏式电极，下电极接地且被驱动旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：/n一上电极，其包含凸伸设置于该上电极的一面且连接等离子体源的多个柱状电极，于该上电极的中心区域具有一个等离子体空乏区，于该等离子体空乏区内无柱状电极，由该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内设有多个该柱状电极，由该多个柱状电极产生一环形等离子体分布区，该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内形成一等离子体处理区；以及/n一下电极，具有包覆有介电材质的内藏式电极，该下电极接地且被驱动旋转。/n
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