[发明专利]半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法有效
| 申请号： | 201811086298.7 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109309079B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 蒲奎;杜文芳;曾军;穆罕默德·恩·达维希;苏世宗 | 申请（专利权）人： | 成都迈斯派尔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天府新区中国（四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法，涉及半导体技术领域。通过在衬底上形成第一掺杂层和第二掺杂层，在第一掺杂层和第二掺杂层以外的衬底中制作形成第一电极，在第一掺杂层和第二掺杂层内形成第二电极，并在第一电极和第二电极之间形成第三电极。在进行方块电阻测量时，通过第一电极和第二电极施加测试电流，通过第三电极施加偏置电压，第三电极在适当偏压下将沟道反型，将第一掺杂层和第三掺杂层连通，根据不同掺杂层的导电类型，合理设置电流流向，使第一掺杂层与第二掺杂层之间PN结在测试中处于零偏或轻微反偏。第二掺杂层在测量中处于旁路状态，实现对第一掺杂层方块电阻独立测量，提高方块电阻测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 制造 方法 方块 电阻 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底内的第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层内，所述衬底除所述第一掺杂层和第二掺杂层之外的区域形成第三掺杂层，其中，所述第一掺杂层与所述第三掺杂层的导电类型相同，所述第二掺杂层与所述第三掺杂层的导电类型相反；基于所述衬底制作形成的第一电极和第二电极，所述第一电极从所述衬底一侧延伸至所述衬底内部未与所述第一掺杂层和第二掺杂层接触；所述第二电极从所述第一掺杂层的一侧延伸至所述第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一掺杂层和第三掺杂层之间的区域表面形成位于第一电极和第二电极之间的沟道区；第三电极，所述第三电极设置在所述第一电极和第二电极之间覆盖于所述沟道区之上。
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