[发明专利]掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201811086463.9 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109283786A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 侯士权;夏睿;梁凤云;徐一建;王婷 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法，其中掩膜版包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。所述掩膜版的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 挡光层 掩膜版 开口组 开口 槽口 相移 半导体器件 基板 底部基板 基板表面 相移层 贯穿 分立 制作 包围 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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