[发明专利]一种用于CMP制程的清洗装置及其清洗方法在审
申请号: | 201811086754.8 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109166815A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 苏晋苗;苏冠暐 | 申请(专利权)人: | 福建闽芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361006 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于CMP制程的清洗装置及其清洗方法。其中,清洗装置包括依次连接的前段化学品清洗装置、超纯水超声波洗净装置、超纯水漂洗装置以及后续干燥装置,同时还设置有功能性超纯水加气产生装置。清洗方法包括:利用超纯水对CMP制程晶圆表面的化学品残留物进行超声波清洗,利用超纯水对超声波清洗后的晶圆进行漂洗,对经过清洗与漂洗的晶圆进行烘干处理等步骤。即本发明通过超纯水超声波洗净装置和超纯水漂洗装置对CMP制程后的晶圆进行清洗和漂洗,然后在送至晶圆干燥装置进行干燥处理,从而具备了加快晶圆洗净效率,提高生产效率,减少超纯水用量,消弭静电造成的产品缺陷等有益效果,并最终达到了增加产能、提升良率、节能环保等目的。 | ||
搜索关键词: | 超纯水 晶圆 清洗 制程 清洗装置 漂洗 超声波洗净装置 超声波清洗 漂洗装置 化学品清洗 产品缺陷 产生装置 干燥处理 干燥装置 烘干处理 后续干燥 节能环保 晶圆表面 生产效率 洗净效率 依次连接 静电 化学品 产能 加气 良率 | ||
【主权项】:
1.一种用于CMP制程的清洗装置,其特征在于,包括依次连接的前段化学品清洗装置、超纯水超声波洗净装置、超纯水漂洗装置以及后续干燥装置,所述超纯水超声波洗净装置与超纯水漂洗装置分别连接有功能性超纯水加气产生装置;所述超纯水超声波洗净装置对CMP制程后的晶圆进行清洗;所述超纯水漂洗装置对超纯水超声波洗净装置清洗后的晶圆进行漂洗;所述功能性超纯水加气产生装置分别向超纯水超声波洗净装置和超纯水漂洗装置供给超纯水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造