[发明专利]一种硒化铟晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811087125.7 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109300989B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人： | 王程远 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化铟晶体管及其制造方法，该晶体管中将高k的氧化铪与硒化铟夹在双层的聚合物PMMA中，使得沟道的界面情况得到极大的改善，使得硒化铟晶体管可以实现高场效应电子迁移率和极小的滞后，极大提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化铟 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硒化铟晶体管的制造方法，包括如下步骤：准备半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极；在栅极上沉积复合介质层；在复合介质层上形成二维半导体层；在半导体层上形成源/漏电极；在半导体层和源/漏电极上形成第三介质层，形成硒化铟晶体管；其中，该复合介质层包括第一介质层和第二介质层；该第一介质层为二氧化铪，该第二介质层为PMMA；该二维半导体层为InSe；该第三介质层为PMMA。
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