[发明专利]超临界处理腔室和用于处理基板的设备在审
申请号: | 201811088273.0 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109545707A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 朴相真;赵炳权;赵庸真;高镛璇;吉娟真;李光旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括:主体框架,其具有突起和凹室,突起从主体框架的第一表面竖直向上突出,凹室由主体框架的突起和第一表面限定;罩框架;缓冲腔室,缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间;以及连接器。缓冲腔室包括:内部容器,其可拆卸地联接到主体框架,从而在凹室中提供腔室空间;以及内部罩,内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触,从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架,使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间,使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。 | ||
搜索关键词: | 主体框架 缓冲腔室 超临界处理 第一表面 突起 凹室 连接器 处理基板 内部容器 腔室空间 可拆卸 腔室 处理空间 处理腔室 封闭腔室 竖直向上 联接 封闭 | ||
【主权项】:
1.一种用于执行超临界处理的超临界处理腔室,包括:主体框架,所述主体框架具有突起和凹室,所述突起从所述主体框架的第一表面竖直向上突出,所述凹室由所述主体框架的所述突起和所述第一表面限定;内部容器,所述内部容器可拆卸地联接到所述主体框架,使得所述内部容器被构造成插入所述凹室中,以覆盖所述突起,所述内部容器在所述凹室中提供腔室空间;罩框架;内部罩,所述内部罩可拆卸地联接到所述罩框架,使得所述内部罩被构造成与所述内部容器的第一表面进行接触,以封闭所述腔室空间;以及连接器,所述连接器被构造成联接所述主体框架和所述罩框架,使所述内部容器和所述内部罩在从所述主体框架的所述第一表面竖直向上的方向上顺序地布置在所述主体框架和所述罩框架之间,使得封闭的所述腔室空间转变成在其中执行所述超临界处理的处理空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811088273.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造