[发明专利]N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件在审
| 申请号： | 201811088522.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911282A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金兴成;陈晓亮;陈天 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N沟道半导体元器件的制造方法，形成栅极结构之后，通过在P阱表面表面注入中性杂质，然后再进行P阱表面注入第一N型杂质，因此上述制造方法可以与目前CMOS生产工艺的主流注入工艺兼容，制造方法简单且容易实现。并且根据上述制造方法在N沟道半导体元器件中掺杂中性杂质，不影响N沟道半导体元器件的器件结构，对该N沟道半导体元器件的电参数(例如开启电压和饱和电流)影响很小，但是却可以有效抑制N沟道半导体元器件的热载流子注入效应，保证了N沟道半导体元器件的性能，提高N沟道半导体元器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 半导体 元器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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