[发明专利]用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统

摘要

本发明公开了一种用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统，该RF开关设置有基于相变材料(20)的、布置在第一导电元件(11)和第二导电元件(12)之间的第一区域(15)，以及用于所述第一区域(15)的状态控制装置，该开关还设置有至少一个第一去耦开关(INT1)，所述至少一个第一去耦开关设置有第二相变材料区域(17)。

主权项

1.一种RF开关，适于改变至少一个第一导电元件(11，110)和至少一个第二导电元件(12，120)之间的连接，所述开关适于交替地在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间路由RF信号以及停止在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间路由RF信号，所述RF开关设置有：‑基于相变材料(20)的第一区域(15)，所述第一区域布置在所述第一导电元件(11)和所述第二导电元件(12)之间；‑用于所述第一相变材料区域(15)的状态控制装置，所述状态控制装置被配置成通过加热来改变所述第一区域的所述相变材料的晶态或非晶态，所述控制装置设置有控制电极(13a，13b，14a，14b，12，120)，所述控制电极布置在所述第一区域(15)的任一侧上并设置成对所述第一相变材料区域(15)施加状态控制电信号，所述开关还设置有至少一个第一去耦开关(INT1)，所述至少一个第一去耦开关被配置成交替地：当所述第一去耦开关导通时，连接第一控制电极(13a)和所述第一相变材料区域(15)；并当所述去耦开关截止时，断开所述第一控制电极(13a)和所述第一相变材料区域(15)的连接，所述第一去耦开关(INT1)包括布置在所述第一控制电极(13a)和第二控制电极(13b)之间的第二相变材料区域(17)，所述第二控制电极抵靠所述第一相变材料区域(15)布置。