[发明专利]一种用于光解水的双吸收层光阳极及制备方法有效
申请号: | 201811092399.5 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109252179B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 吴绍龙;周忠源;李孝峰;李刘晶;肖臣鸿 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/02;C25B11/04 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属光电转换与新能源领域;为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题,提出一种用于光解水的双吸收层光阳极,所述的双吸收层光阳极为复合层式结构,沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层;其特征在于:硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层,所述的钝化层各处厚度相等;通过在内外吸收层之间使用原子层沉积技术设置钝化层,可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面,且厚度可控制至0.1 nm级别,进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 光解 吸收 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于光解水的双吸收层光阳极,所述的双吸收层光阳极为复合层式结构,沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层;其特征在于:硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层,所述的钝化层各处厚度相等。
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