[发明专利]一种肖特基二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201811093071.5 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109326568A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 马志勇;孟鹤;田振兴;吴勐;杨旭;刘啸尘;赵纯 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 黄彩荣 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体而言，涉及一种肖特基二极管及制作方法。一种肖特基二极管，其包括PN结、背面层、势垒层、金属层和氧化层，氧化层和背面层分别设置在PN结的两端，氧化层具备有源区窗口，势垒层和金属层依次设置在有源区窗口，且PN结、势垒层和金属层依次相互连接，其还包括磷硅玻璃层、氮化硅层和聚酰亚胺层；磷硅玻璃层设置在金属层与氧化层之间；氮化硅层和聚酰亚胺层依次设置在金属层远离PN结的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 氧化层 肖特基二极管 势垒层 聚酰亚胺层 磷硅玻璃层 氮化硅层 依次设置 背面层 源区 半导体晶圆 制作 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其包括PN结、背面层、势垒层、金属层和氧化层，所述氧化层和所述背面层分别设置在所述PN结的两端，所述氧化层具备有源区窗口，所述势垒层和所述金属层依次设置在所述有源区窗口，且所述PN结、所述势垒层和所述金属层依次相互连接，其特征在于，包括:磷硅玻璃层、氮化硅层和聚酰亚胺层；所述磷硅玻璃层设置在所述金属层与所述氧化层之间；所述氮化硅层和所述聚酰亚胺层依次设置在所述金属层远离PN结的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林麦吉柯半导体有限公司，未经吉林麦吉柯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811093071.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于将集成电路管芯安装到载体的负圆角
- 下一篇：封装元件及其制作方法
