[发明专利]深紫外LED的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811093229.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109461799A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈谦;高扬;张爽;郑志华;陈长清;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种深紫外LED的外延结构，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Alx2Gay2N周期性排布组成；势垒Alx1Gay1N的厚度为1nm～3nm，势阱Alx2Gay2N的厚度为0.1nm～2nm，其中，0 |
||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 外延结构 超晶格 势垒 势阱 制备 多量子阱有源层 光输出功率 周期性排布 蓝宝石 依次叠加 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED的外延结构，其特征在于，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；所述超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Alx2Gay2N周期性排布组成；所述势垒Alx1Gay1N的厚度为1nm～3nm，所述势阱Alx2Gay2N的厚度为0.1nm～2nm，所述超晶格AlGaN势垒层的总厚度为15nm～25nm；其中，0
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学，未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811093229.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
