[发明专利]基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法在审
| 申请号： | 201811093800.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109346593A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 单春光;邹冠生 | 申请（专利权）人： | 中山市瑞宝电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01S5/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 叶玉凤;徐勋夫 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。本发明藉由将金属围坝粗糙的内表面切除，使内表面光滑，可以提高表面的光泽度，反光效果更好。除此之外，通过切割的方式将金属围坝的一部分去除，可以使围坝的壁厚变薄，从而增大围坝内部的空间，使得围坝内可以放置更大颗粒晶片，有利于大功率晶片的配置。 | ||
| 搜索关键词： | 围坝 切割 电镀 金属 陶瓷支架 镀铜层 内表面 成型 切除 大功率晶片 金属化处理 陶瓷板表面 加厚 独立线路 反光效果 立体结构 平整光滑 侧面 大颗粒 光泽度 壁厚 变薄 晶片 去除 光滑 粗糙 配置 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，包括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；其特征在于：第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。
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