[发明专利]具有绝缘分离体的半导体管芯接合焊盘有效
| 申请号： | 201811093826.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524385B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | C.布雷特豪尔;B.劳梅尔;H.珀勒;M.施特夫雷夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有绝缘分离体的半导体管芯接合焊盘。一种半导体管芯包括在半导体衬底上方的最后金属化层；在最后金属化层上方的接合焊盘；保护层，其覆盖接合焊盘的部分并且具有限定接合焊盘的接触区的开口；绝缘区域，其至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离；以及导电互连结构，其在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层。还提供了相应的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 分离 半导体 管芯 接合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体管芯，包括：在半导体衬底上方的最后金属化层；在最后金属化层上方的接合焊盘；保护层，其覆盖接合焊盘的部分并且具有限定接合焊盘的接触区的开口；绝缘区域，其至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离；以及导电互连结构，其在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层。
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