[发明专利]一种三元MOF纳米片阵列材料、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201811095023.X 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109252180B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 张小俊;丁孟梦 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/031;C25B11/061;C25B11/091;C23C18/50;B01J31/22;B82Y30/00
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 任晨晨
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种三元MOF纳米片阵列材料、制备方法及其应用,高温高压反应釜中,采用甲醇作为反应溶剂,按比例加入镍盐、铁盐、钴盐和有机配体2‑甲基咪唑混合均匀,通过加热反应体系,产生一个高压环境而制备三元MOF纳米片阵列材料。与现有技术相比,本发明制备方法得到的产物纯度高、分散性好、且可控制,生产成本低,重现性好,通过控制原料用量和浓度及反应的温度和时间,形成稳定均匀的形貌结构。所制备出的三元MOF纳米片阵列材料生长在泡沫镍上,可直接作为电极材料,实现了长的循环稳定性、大的活性表面积,在析氧反应方面具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 三元 mof 纳米 阵列 材料 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种三元MOF纳米片阵列材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1:清洗泡沫镍;S2:将镍盐、铁盐、钴盐和有机配体溶解于甲醇中,得混合溶液,然后置于反应釜,加入步骤S1清洗的泡沫镍,密封,水热反应,然后,取出,自然冷却至室温,产物经清洗干燥,得到负载在泡沫镍上的三元MOF纳米片阵列材料。
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