[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS图像传感器及其制作方法。该背照式CMOS图像传感器包括：衬底、介质层、嵌设于介质层中的连线层、位于衬底以及介质层中并暴露连线层的阶梯状开孔、覆盖阶梯状开孔的表面并延伸覆盖衬底的背面的隔离层、位于所述阶梯状开孔中且与连线层电连接的焊垫层、栅格部以及滤色层。焊垫层位于阶梯状开孔中，且所述焊垫层的顶面与衬底背面的隔离层的顶面之间的高度差的绝对值小于预设值，由此，通过旋转涂覆工艺形成滤色层时，整个即将要涂敷滤色层原料的表面较为平整，焊垫层不会阻挡滤色层原料甩出，由此形成的滤色层较为均匀，可避免出现条纹，提升了背照式CMOS图像传感器的图像质量。

主权项

1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的正面和背面，介质层，位于所述衬底的正面上；连线层，嵌设于所述介质层中；阶梯状开孔，位于所述衬底以及介质层中并位于所述连线层的上方，所述阶梯状开孔暴露所述连线层的部分区域；隔离层，覆盖所述阶梯状开孔的表面且暴露出所述连线层，并延伸覆盖所述衬底的背面的部分区域；焊垫层，位于所述阶梯状开孔中覆盖部分所述隔离层且与所述连线层电连接；所述焊垫层的顶面与所述衬底的背面上的隔离层的顶面之间的高度差的绝对值小于一预设值；栅格部，所述栅格部位于所述衬底的背面上；以及滤色层，位于所述栅格部的栅格内。