[发明专利]一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线有效
申请号: | 201811095379.3 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109193171B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 史琰;张向凡;孟赞奎 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/24 | 分类号: | H01Q15/24;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 李新苗 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线,包括Van Atta极化旋转阵列、同轴接头、上下层叠的第一介质基板和第二介质基板,第一介质基板的上表面设有辐射单元,所述辐射单元的几何中心与第一介质基板的几何中心重合,Van Atta极化旋转阵列将辐射单元包围,第二介质基板的几何中心为空心。双极化Van Atta极化旋转子阵列,按中心对称排布在辐射单元周围,使反射得到的电磁波两两极化相反,形成散射相消,实现低雷达散射特性。通过调整正方形区域的大小,消除了由于引入双极化方阵对天线辐射特性产生的影响,在保证了天线正常辐射的前提下,最终在工作频带内降低了雷达散射截面。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 van atta 阵列 极化 转换 rcs 微带 天线 | ||
【主权项】:
1.一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线,其特征在于:包括Van Atta极化旋转阵列(6)、同轴接头(3)、上下层叠的第一介质基板(4)和第二介质基板(5),所述第一介质基板(4)的上表面设有辐射单元(1),所述辐射单元(1)的几何中心与第一介质基板(4)的几何中心重合,所述Van Atta极化旋转阵列(6)将辐射单元(1)包围,所述第二介质基板(5)的几何中心为空心;所述Van Atta极化旋转阵列(6)由(2n+1)2‑1个Van Atta极化旋转子阵列组成,n为包围辐射单元(1)的Van Atta极化旋转子阵列圈数,n为正整数;所述Van Atta极化旋转子阵列为方阵且包括四个阵元和设于第二介质基板(5)下表面的四条微带连接线(8);每个阵元包括设于第一介质基板(4)上表面的金属贴片(6111)、设于第一介质基板(4)下表面的金属地板(2)、设于金属地板(2)上的缝隙(9)、设于第二介质基板(5)下表面的微带馈线(10),每个阵元设有两个相互垂直的微带馈线(10),每条微带连接线(8)连接一条对角线上两个阵元的微带馈线(10),各微带连接线(8)不交叉,所述金属贴片(6111)和缝隙(9)与微带馈线(10)位置上下对应,所述同轴接头(3)的内芯连接辐射单元(1),所述同轴接头(3)的外芯连接金属地板(2)。
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