[发明专利]发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置有效
| 申请号： | 201811095936.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109338365B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 崔志远 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L51/56;C23F1/12;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置，其中方法包括；在待刻蚀金属膜层上涂覆光刻胶、曝光并显影；采用预设刻蚀条件对所述金属层进行刻蚀；所述预设刻蚀条件包括：刻蚀气体包括流量大于60sccm的三氯化硼、刻蚀气体包括氩气以及偏置电源的功率大于或等于300W中的至少之一的刻蚀条件。上述刻蚀条件可以增强物理刻蚀，增强物理刻蚀可以较为有效的去除氯与金属反应后生长在刻蚀侧壁的刻蚀副产物，以便于后续膜层的填充，提高金属膜层的电性能和后续膜层的成膜质量，进而提高产品良率和可靠性。可以进一步加强金属膜层侧壁副产物的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 显示 器件 及其 刻蚀 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括；在待刻蚀金属膜层上涂覆光刻胶、曝光并显影；采用预设刻蚀条件对所述金属层进行刻蚀；所述预设刻蚀条件包括：刻蚀气体包括流量大于60sccm的三氯化硼、刻蚀气体包括氩气以及偏置电源的功率大于或等于300W中的至少之一的刻蚀条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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