[发明专利]一种晶圆抓取装置及控制方法有效
申请号: | 201811096641.6 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109244027B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 赵宁;白富强 | 申请(专利权)人: | 上海新创达智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 冯健强 |
地址: | 201306 上海市浦东新区南汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆抓取装置及控制方法,晶圆抓取装置包括:基板,基板的第一端连接至机械臂,基板上远离第一端的第二端设有开口,开口的凹陷方向朝基板的第一端延伸;开口周围设有若干个吸附机构;吸附机构包括至少一个凹槽,凹槽的侧壁上设有至少一个出风口;基板上还设有吹气机构,吹气机构通过通风道与吸附机构的出风口连通;气体自吹气机构进入,通过通风道传输至出风口处,并从出风口吹出,在凹槽内形成气旋,然后从凹槽的侧壁边沿流出,气体在凹槽内形成的气旋而产生低压,将晶圆吸附于晶圆抓取装置上。在抓取晶圆时,晶圆抓取装置与晶圆表面无接触,减小了对晶圆的污染和破坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 抓取 装置 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆抓取装置,其特征在于,晶圆抓取装置包括:基板,所述基板的第一端连接至机械臂,所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口,所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸;所述开口周围设有若干个吸附机构;所述吸附机构包括至少一个凹槽,所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口;所述基板上还设有吹气机构,所述吹气机构通过通风道与所述吸附机构的出风口连通;气体自所述吹气机构进入,通过所述通风道传输至所述出风口处,并从所述出风口吹出,在所述凹槽内形成气旋,然后从所述凹槽的侧壁边沿流出,所述气体在所述凹槽内形成的气旋而产生低压,将晶圆吸附于所述晶圆抓取装置上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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