[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811098549.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109360873A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;郭炳磊;王群;乔楠;张武斌;吕蒙普;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述方法包括：提供衬底；顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层和多量子阱层；在所述多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，所述P型电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层和InN层；在所述P型电子阻挡层上沉积P型GaN层。本发明能够在对电子阻挡作用较强时减弱对空穴的阻挡作用，进而提高电子空穴在量子阱中的复合发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 沉积 外延片 衬底 制备 发光二极管技术 空穴 阻挡 未掺杂GaN层 电子空穴 复合发光 量子阱 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层和多量子阱层；在所述多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，所述P型电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层和InN层；在所述P型电子阻挡层上沉积P型GaN层。
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