[发明专利]一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法有效
| 申请号： | 201811098718.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109326583B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/822 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法，通过在器件场氧化层上方生长的多晶硅层进行超高阻离子注入获得超高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内再次进行高阻离子注入获得高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内通过炉管扩散掺杂离子获得低阻多晶硅电阻，并在最后通过离子注入形成源极和漏极的同时，也注入在局部超高阻多晶硅电阻内，形成中阻多晶硅电阻，获得四种不同阻值的多晶硅电阻，从而极大便利了电路设计工程师的设计，大幅提升低阻值电阻器的电阻精度，缩减超高阻电阻器的芯片占用面积，降低芯片制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 集成 复合型 多晶 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上制作完成器件层；在所述器件层之上生长场氧化层；在所述场氧化层之上生长无掺杂的多晶硅层；对所述多晶硅层进行多次离子掺杂分别形成多个不同阻值的多晶硅电阻。
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