[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201811098835.X | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109326696B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。AlN层在衬底上生长的多次溅射过程中，使磁控溅射设备的溅射功率逐渐递减可使磁控溅射设备中离子轰击磁控溅射设备中Al靶材的速率逐渐降低，进而使得Al原子的动能逐渐降低，Al原子在衬底上生长时沿其沉积方向生长的速率降低，Al原子更容易在衬底上横向生长，得到的AlN层的表面平整性较好，且由于AlN层的沉积速度逐渐降低，相较于快速生长得到的AlN层会产生的缺陷更少，AlN层的质量得到保证，外延层整体的质量可得到保证，发光二极管的发光效率可得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长有源层；在所述有源层上生长P型GaN层，其特征在于，在所述衬底上生长AlN层，包括：将所述衬底放入磁控溅射设备中；对所述衬底进行多次溅射，在所述衬底上形成AlN层，多次溅射时所述磁控溅射设备的溅射功率逐渐递减。
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