[发明专利]一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法在审
申请号: | 201811099021.8 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109082665A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 王进 | 申请(专利权)人: | 绵阳致知高新科技有限责任公司 |
主分类号: | C23F1/30 | 分类号: | C23F1/30;C23F1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621052 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法,所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。与现有技术相比,本发明提出一种针对镍铬硅薄膜的蚀刻组合物,用于镍铬硅薄膜的蚀刻时,能够提高并控制蚀刻速度,并且有效抑制了光刻胶层的劣化,其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有技术壁垒,研发出了薄膜电阻领域中镍铬硅薄膜的湿法刻蚀技术。推进镍铬硅薄膜电阻的市场化应用,为国家电子信息技术的快速发展贡献一份力量。 | ||
搜索关键词: | 镍铬硅 薄膜 蚀刻液组合物 蚀刻 薄膜电阻 湿法刻蚀 十八烷基三甲基氯化铵 电子信息技术 湿法刻蚀技术 蚀刻组合物 表面平坦 光刻胶层 技术壁垒 硝酸铈铵 有效抑制 混合物 氢氟酸 蚀刻面 蚀刻液 氧乙酸 劣化 光滑 应用 力量 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻液组合物,其特征在于:所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。
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