[发明专利]一种薄膜传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811099246.3 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN109273588B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 秦云科;刘英明;曹学友;郭玉珍;王海生;李治福 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10N30/80 分类号: H10N30/80;H10N30/00;H10N30/03
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种薄膜传感器及其制备方法,用以提升薄膜传感器的性能。本申请实施例提供的一种薄膜传感器,所述薄膜传感器包括:第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件;所述第一基板包括:薄膜晶体管,所述第二基板包括:传感器件,所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。
搜索关键词: 一种 薄膜 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种薄膜传感器,其特征在于,所述薄膜传感器包括:第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件;所述第一基板包括:薄膜晶体管,所述第二基板包括:传感器件,所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。
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