[发明专利]一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体在审
| 申请号： | 201811099470.2 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109341343A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王学仕;邓斌;万喜新;杨金;陈庆广 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | F27B17/00 | 分类号： | F27B17/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，包括炉壳，炉壳内设有炉膛，所述炉膛底部设有反应管、以及用于隔离反应管和所述炉膛的隔离罩，所述隔离罩底部与所述炉壳内壁之间设有隔离罩密封件，所述炉壳底部设有工艺气体进口和工艺气体出口，所述工艺气体进口与所述反应管连通，所述反应管与所述隔离罩连通，所述工艺气体出口位于所述隔离罩密封件下方并与所述隔离罩连通。本发明具有洁净度高、适用于碳化硅半导体等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离罩 反应管 炉膛 碳化硅半导体 炉壳 连通 高温加热炉体 工艺气体出口 工艺气体进口 密封件 炉壳内壁 洁净度 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，包括炉壳(1)，炉壳(1)内设有炉膛(11)，其特征在于：所述炉膛(11)底部设有反应管(2)、以及用于隔离反应管(2)和所述炉膛(11)的隔离罩(3)，所述隔离罩(3)底部与所述炉壳(1)内壁之间设有隔离罩密封件(4)，所述炉壳(1)底部设有工艺气体进口(12)和工艺气体出口(13)，所述工艺气体进口(12)与所述反应管(2)连通，所述反应管(2)与所述隔离罩(3)连通，所述工艺气体出口(13)位于所述隔离罩密封件(4)下方并与所述隔离罩(3)连通。
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