[发明专利]石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811100425.4 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109183151B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 沈荣存 | 申请（专利权）人： | 江苏穿越光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34;H01S3/16 |
| 代理公司： | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 | 代理人： | 刘真 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于人工晶体领域，具体涉及一种石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料及其制备方法，所述石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料过在氧化镓中掺杂质量浓度为0.005％～0.03％的石墨烯量子点，具有高电导率特性，同时热导性好，适合用作普通的固体激光工作物质、可调谐激光器或超快激光器或自调Q固体激光器的增益介质。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 量子 掺杂 氧化 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料，包括β‑Ga2O3基质材料，所述晶体材料中石墨烯量子点的掺杂质量分数为0.005％～0.03％。
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