[发明专利]基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811100437.7 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109183152A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 沈荣存 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34;H01S3/16 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于人工晶体领域，具体涉及一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法，所述基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料以宽禁带半导体材料氧化镓为基质材料，其禁带宽度为4.9ev，处于紫外光波段，对于紫外光具有良好的光谱吸收和响应，在氧化镓中掺杂钛掺杂的石墨烯量子点，光照下，氧化镓半导体材料吸收并产生的电子空穴对，在结势垒电场的作用下，电子或空穴将会注入石墨烯量子点内，石墨烯内载流子浓度随之发生变化，进而大大改变晶体材料的电阻率，适用于紫外探测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 氧化镓 量子点 晶体材料 钛掺杂 制备 载流子 宽禁带半导体材料 半导体材料 空穴 紫外光波段 电子空穴 光谱吸收 基质材料 人工晶体 紫外探测 紫外光 电场 电阻率 结势垒 禁带 光照 掺杂 响应 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料，包括β‑Ga2O3基质材料，所述晶体材料中钛掺杂石墨烯量子点的掺杂质量分数为0.005％～0.03％。
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