[发明专利]一种测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811100495.X 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN108871569B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 刘琳;王海云;王飞;蔡阳健 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 冯瑞;杨慧林
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及激光技术领域,公开了一种测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法及系统。本发明通过改变柱面透镜的旋转角构造出两个简单的像散光学系统,再通过对各向同性扭曲高斯谢尔模源经过各个像散光学系统后的光强二阶矩的测量,间接获得了各向同性扭曲高斯谢尔模源的扭曲因子。该测量装置结构简单紧凑,制造成本低,易于实现,且基于上述特性,本发明的测量方法和系统在自由空间光通信、二次谐波产生、光学照明等方面均具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 测量 各向同性 扭曲 高斯谢尔模 光束 因子 方法 系统
【主权项】:
1.一种测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束的初始光强分布图;S2、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过第一像散光学系统后,在所述第一像散光学系统后焦面上形成的第一光强分布图;S3、对所述第一光强分布图拟合分析,得到所述第一光强分布图在相互垂直的第一方向和第二方向上的光强二阶矩V1和V2;S4、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过第二像散光学系统后,在所述第二像散光学系统后焦面上形成的第二光强分布图,其中,所述第二像散光学系统由所述第一像散光学系统旋转得到;S5、对所述第二光强分布图拟合分析,得到所述第二光强分布图在所述第一方向和所述第二方向上的光强二阶矩V1'和V2';S6、对所述初始光强分布图拟合分析,得到所述初始光强分布图在所述第一方向或所述第二方向上的光强二阶矩V0;S7、计算扭曲因子其中,f表示所述第一像散光学系统的焦距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811100495.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top