[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811100533.1 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN110111832B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 洪龙焕;金炳烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14;G11C29/18;G11C29/26;G11C29/44
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、读/写电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。读/写电路对存储器单元阵列的所选页执行读/写操作。地址解码器存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据,并响应于地址信号而输出坏块标记数据。控制逻辑控制读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷,并且控制地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为坏块标记数据。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括多个存储块;读/写电路,该读/写电路被配置为对所述存储器单元阵列的所选页执行读/写操作;地址解码器,该地址解码器被配置为存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据,并且响应于地址信号而输出所述坏块标记数据;以及控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷,并且控制所述地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为所述坏块标记数据。
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