[发明专利]一种基于MgO衬底的石墨烯量子点掺杂氧化镓薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811101011.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109402607A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 沈荣存 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01S3/16 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种基于MgO衬底的石墨烯量子点掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，所述石墨烯量子点掺杂氧化镓薄膜通过掺杂质量分数为0.005％～0.03％的石墨烯量子点，高载流子迁移率、热/化学稳定的石墨烯量子点能极大改善氧化镓薄膜性能，使其具有极高的空穴迁移率，适合用作普通的固体激光工作物质、可调谐激光器或超快激光器或自调Q固体激光器的增益介质。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 石墨烯 氧化镓 薄膜 掺杂 衬底 制备 固体激光工作物质 自调Q固体激光器 电子材料技术 可调谐激光器 载流子迁移率 超快激光器 空穴迁移率 化学稳定 增益介质 质量分数 | ||
【主权项】：
1.一种基于MgO衬底的石墨烯量子点掺杂氧化镓薄膜，包括MgO衬底材料和生长在衬底上的石墨烯量子点掺杂氧化镓外延层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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