[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法在审
| 申请号： | 201811101185.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109336181A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 马丽颖;潘亚苹;王习习;赵乃勤;师春生;刘恩佐;何芳;沙军威 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01G41/00;C01B19/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，具体给出制备二维WS2的制备方法，二维MoS2以及二维WS2xTe2(1‑x)的制备方法，其中，二维WS2的制备包括：准备1g的硫粉和30mg的WO3，将硫粉放到双温区管式炉的低温区，将WO3放到高温区，并将Si/SiO2基底倒扣在装有WO3的方舟上，基底与方舟的距离有5‑9mm，之后通入Ar，排走空气；通入Ar气和H2；将低温区温度调到180‑220℃，高温区温度调到830‑870℃，生长时间3‑6min。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 制备 过渡金属硫族化合物 低温区 高温区 基底 硫粉 双温区管式炉 倒扣 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维WS2的制备方法，包括下列步骤：1)准备1g的硫粉和30mg的WO3，将硫粉放到双温区管式炉的低温区，将WO3放到高温区，并将Si/SiO2基底倒扣在装有WO3的方舟上，基底与方舟的距离有5‑9mm，之后通入Ar，排走空气。2)通入Ar气和H2；3)将低温区温度调到180‑220℃，高温区温度调到830‑870℃，生长时间3‑6min。
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