[发明专利]一种磁场矢量传感器与制作工艺方法在审
| 申请号： | 201811101755.5 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109100665A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;李学磊;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场矢量传感器，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有多个同种磁敏感元器件，所述多个磁敏感元器件构成三个磁敏感单元，以实现对不同方向磁场分量的测量。同时在芯片内嵌入聚/导磁微结构，能够转换磁场分量的方向，实现空间磁场的测量。本发明所述磁场矢量传感器结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺，操作简单，易于实现，适合规模化工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场矢量 磁敏感 传感器 硅片 制作工艺 元器件 测量 芯片 方向磁场分量 传感器结构 磁场分量 工业应用 空间磁场 规模化 集成化 器件层 微结构 衬底 导磁 嵌入 转换 | ||
【主权项】：
1.一种磁场矢量传感器，其特征在于，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有多个同种磁敏感元器件，所述多个磁敏感元器件构成三个磁敏感单元，以实现对不同方向磁场分量的测量。
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