[发明专利]基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序在审
申请号: | 201811103324.2 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109559975A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 冈岛优作;吉田秀成;西堂周平;佐佐木隆史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供抑制在构成反应管的外管与内管的间隙可能生成的副生成物的技术。基板处理装置具备:反应管,具有筒状的内管及以包围内管的方式设置的筒状的外管;基板保持件,收纳于内管,上下保持多个基板;气体喷嘴,沿上下方向设置于外管及内管之间的间隙,从在上下形成有多个的供给孔向开设于内管的流入口供给气体而在基板形成膜;流出口,形成于内管,流出供给至内管的气体;排出口,形成于外管,向反应管的外侧排出从流出口流出的气体;排出单元,使滞留于间隙的气体从排出口排出;以及控制部,控制为从气体喷嘴供给原料气体及惰性气体而在基板形成膜,从排出口排出反应管内的环境空气的同时,从气体喷嘴供给惰性气体,并将滞留于间隙的气体排出。 | ||
搜索关键词: | 内管 反应管 排出 外管 气体喷嘴 排出口 基板处理装置 惰性气体 流出口 基板 筒状 流出 滞留 上下方向设置 半导体装置 基板保持件 多个基板 方式设置 副生成物 供给原料 环境空气 排出单元 收纳 供给孔 包围 制造 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:反应管,其具有筒状的内管及以包围该内管的方式设置的筒状的外管;基板保持件,其收纳于上述内管,且上下保持多个基板;气体喷嘴,其沿上下方向设置于上述外管及上述内管之间的间隙,且从在上下形成有多个的供给孔向开设于上述内管的流入口供给气体,从而在上述基板形成膜;流出口,其形成于上述内管,且流出供给至该内管的气体;排出口,其形成于上述外管,且向上述反应管的外侧排出从上述流出口流出的气体;排出单元,其使滞留于上述间隙的气体从上述排出口排出;以及控制部,其控制为从上述气体喷嘴供给原料气体及惰性气体而在上述基板形成膜,从上述排出口排出上述反应管内的环境空气的同时,从上述气体喷嘴供给惰性气体,并将滞留于上述间隙的气体排出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气,未经株式会社国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811103324.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造